Дата: 4/15/2025 | Время: 8:51:49 PM | Ваш IP: 13.58.129.138 | Online(37) - гости: 10, боты: 27 | Загрузка сервера: 0.64 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N123-5
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N123-5

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 24 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N450 Gepnp150mW20V12V10V125mA4MHz30 (min) TO5
SFT151 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz30X01
SFT152 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz50X01
SFT153 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz80X01
SFT300 Gepnp150mW18V12V12V100mA2MHz28TO1
SFT307 Gepnp150mW18V12V12V100mA3MHz40TO1
SFT308 Gepnp150mW18V12V12V100mA6MHz70TO1
Просмотров: 3 576 391