Дата: 4/16/2025 | Время: 2:14:26 AM
| Ваш IP: 18.191.4.164 | Online(38) - гости: 8, боты: 30 | Загрузка сервера: 1.91 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1196
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2N1196
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 70V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 5 ... 30
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
- Производитель: IDI
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 576 551