Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1193Основные параметры биполярного транзистора 2N1193
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 25V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 300
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
- Производитель: ELN
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1191 |
Ge | pnp | 200mW | 40V | 25V | 25V | 200mA | 600KHz | 20 ... 80 | TO5 | | 2N1192 |
Ge | pnp | 200mW | 40V | 25V | 25V | 200mA | 1MHz | 40 ... 135 | TO5 | | 2N1194 |
Ge | pnp | 200mW | 40V | 25V | 25V | 200mA | 1.2MHz | 125 (min) | TO5 | | ACY27 |
Ge | pnp | 200mW | 40V | 20V | 30V | 200mA | 800KHz | 20 (min) | TO1 | | ACY31 |
Ge | pnp | 200mW | 40V | 20V | 20V | 200mA | 800KHz | 35 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 071 439