Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N581Основные параметры биполярного транзистора 2N581
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
- Производитель: RCA
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| AC161 |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 75 (min) | TO18 | | AC161VI |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 75 ... 150 | TO1 | | AC161VII |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 125 (min) | TO1 | | SFT300 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 2MHz | 28 | TO1 | | SFT307 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 | TO1 | | SFT308 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 6MHz | 70 | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 082 799