| Ваш IP: 3.139.83.248 | Online(57) - гости: 11, боты: 46 | Загрузка сервера: 1.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1185
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1185

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 130 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N3427 Gepnp200mW45V30V30V500mA4MHz75 (min) TO5
2N3428 Gepnp200mW45V30V30V500mA5MHz125 (min) TO5
SFT241 Gepnp225mW45V35V25V500mA500KHz45TO5
SFT242 Gepnp225mW45V30V25V550mA1MHz70TO5
Просмотров: 3 071 298