Дата: 4/16/2025 | Время: 8:38:15 AM | Ваш IP: 18.218.106.24 | Online(29) - гости: 5, боты: 24 | Загрузка сервера: 0.34 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1183
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N1183

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 7.5W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 60
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: GPD
  • Корпус: TO8
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N1184 Gepnp7.5W45V20V20V3A500KHz40 ... 120TO8
Просмотров: 3 577 271