| Ваш IP: 3.147.104.18 | Online(63) - гости: 10, боты: 53 | Загрузка сервера: 0.97 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N567
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N567

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
SFT121 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz30X01
SFT122 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz50X01
SFT123 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz80X01
Просмотров: 3 082 022