| Ваш IP: 3.149.250.19 | Online(50) - гости: 7, боты: 43 | Загрузка сервера: 1.15 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N563
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N563

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 30
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 60 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
SFT121 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz30X01
SFT122 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz50X01
SFT123 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz80X01
Просмотров: 3 082 196