| Ваш IP: 18.219.209.144 | Online(85) - гости: 11, боты: 74 | Загрузка сервера: 1.44 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1175B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1175B

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 140
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
  • Производитель: RCA
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
ACY35 Gepnp200mW30V10V10V200mA200KHz30 (min) TO1
Просмотров: 3 071 340