Дата: 4/15/2025 | Время: 11:23:07 PM
| Ваш IP: 18.218.79.20 | Online(12) - гости: 1, боты: 11 | Загрузка сервера: 0.45 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1175
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2N1175
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70 ... 140
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
- Производитель: GEN
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус | | ACY35 |
Ge | pnp | 200mW | 30V | 10V | 10V | 200mA | 200KHz | 30 (min) | TO1 | |
|
|
|
Просмотров: 3 576 417