| Ваш IP: 18.226.187.210 | Online(57) - гости: 11, боты: 46 | Загрузка сервера: 1.03 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N5550
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N5550

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 310mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 160V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 250
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
  • Производитель: MOTOROLA
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 082 249