Дата: 4/16/2025 | Время: 6:45:24 AM
| Ваш IP: 3.17.177.21 | Online(41) - гости: 22, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.64 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1170
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2N1170
- Материал: Ge
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 400mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: RCA
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 577 216