Дата: 4/3/2025 | Время: 4:28:59 PM
| Ваш IP: 3.144.222.234 | Online(23) - гости: 10, боты: 12 | Загрузка сервера: 0.75 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 250
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
- Производитель: VISHAY
- Корпус: SOT23
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 572 064