Дата: 4/4/2025 | Время: 1:05:21 AM | Ваш IP: 3.12.147.104 | Online(14) - гости: 4, боты: 10 | Загрузка сервера: 1.02 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB1132R
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB1132R

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 180 ... 390
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: ROHM
  • Корпус: SOT89
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 572 184