Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KTD1003BОсновные параметры биполярного транзистора KTD1003B
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1200 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
- Производитель: KEC
- Корпус: SOT89
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SD1917 |
Si | npn | 500mW | 60V | - | - | 1A | - | 20000 | TO126 | | BSS24 |
Si | npn | 500mW | 60V | ## | ## | 1A | ## | 50 (min) | TO100 | | BSXP65 |
Si | npn | 500mW | 60V | - | - | 1A | - | 40 ... 120 | TO18 | | BSXP66 |
Si | npn | 500mW | 60V | - | - | 1A | - | 40 ... 120 | TO18 | | BSXP67 |
Si | npn | 500mW | 60V | - | - | 1A | - | 20 ... 60 | TO18 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 121 893