| Ваш IP: 18.116.89.8 | Online(64) - гости: 14, боты: 50 | Загрузка сервера: 1.08 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора P217G
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора P217G

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 30W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7.5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
P217V Gepnp24W60V####7.5A##15 ... 40
Просмотров: 3 078 707