Дата: 4/9/2025 | Время: 7:45:54 PM | Ваш IP: 18.222.219.97 | Online(33) - гости: 11, боты: 21 | Загрузка сервера: 1.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KT855V
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора KT855V

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 40W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 150V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 200 pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 573 674