Дата: 4/12/2025 | Время: 9:38:28 PM
| Ваш IP: 3.137.173.170 | Online(24) - гости: 4, боты: 20 | Загрузка сервера: 0.61 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KT665B9
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора KT665B9
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 250
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
- Производитель: RUSSIA
- Найти datasheet

|
|
Просмотров: 3 575 189