Дата: 4/13/2025 | Время: 3:02:11 PM | Ваш IP: 18.220.47.149 | Online(45) - гости: 13, боты: 32 | Загрузка сервера: 3.04 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KT660B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора KT660B

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 800mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 180°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 575 478