| Ваш IP: 18.119.163.95 | Online(44) - гости: 3, боты: 41 | Загрузка сервера: 0.12 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора KT502G
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора KT502G

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 240
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 072 573