Дата: 4/15/2025 | Время: 9:41:52 AM
| Ваш IP: 3.144.33.74 | Online(26) - гости: 16, боты: 10 | Загрузка сервера: 1.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1160
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2N1160
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 50
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: CSR
- Корпус: TO3
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 575 662