| Ваш IP: 3.143.241.253 | Online(37) - гости: 13, боты: 24 | Загрузка сервера: 1.29 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT346B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора GT346B

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 0.3V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 0.3V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N107 Gepnp50mW12V--10mA400KHz20R31
2SA254 Gepnp55mW12V--10mA4MHz80TO1
2SA255 Gepnp55mW12V--10mA2MHz50TO1
2SA468 Gepnp55mW18V--10mA15MHz70TO1
2SA469 Gepnp55mW18V--10mA15MHz50TO1
2SA470 Gepnp55mW18V--10mA15MHz75TO1
2SA471 Gepnp55mW18V--10mA15MHz50TO1
2SA472 Gepnp55mW18V--10mA15MHz80TO1
2SA476 Gepnp55mW18V--10mA60MHz70TO1
2SA477 Gepnp55mW18V--10mA60MHz70TO1
2SA58 Gepnp55mW18V--10mA35MHz80TO44-2
GFT42A Gepnp50mW15V####10mA90MHz35 (min) CAN
GFT42B Gepnp50mW15V####10mA80MHz70 (min) CAN
GFT43 Gepnp50mW15V####10mA40MHz50 (min) CAN
GFT43A Gepnp50mW15V####10mA30MHz35 (min) CAN
GFT43B Gepnp50mW15V####10mA30MHz70 (min) CAN
GFT44/15E Gepnp50mW15V####10mA10MHz60 (min) CAN
Просмотров: 3 074 112