| Ваш IP: 18.117.141.69 | Online(78) - гости: 14, боты: 64 | Загрузка сервера: 1.33 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT125G
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GT125G

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
SFT227 Gepnp150mW30V24V18V250mA4MHz35mnTO5
Просмотров: 3 074 370