| Ваш IP: 3.145.91.111 | Online(71) - гости: 7, боты: 64 | Загрузка сервера: 1.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GT115B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора GT115B

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 30mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: RUSSIA
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 074 501