Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MGT108BОсновные параметры биполярного транзистора MGT108B
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35 ... 80
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: RUSSIA
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| GT108A |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 500KHz | 20 ... 50 | | | GT108B |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 35 ... 80 | | | GT108G |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 110 ... 250 | | | GT108V |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 60 ... 130 | | | MGT108A |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 500KHz | 20 ... 50 | | | MGT108G |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 110 ... 250 | | | MGT108V |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 60 ... 130 | | | MGT108D |
Ge | pnp | 75mW | 10V | - | - | 50mA | 1MHz | 30 ... 120 | | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 074 200