Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора GS8550TОсновные параметры биполярного транзистора GS8550T
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 625mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 800mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 135
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 9 pF
- Производитель: GENERAL SEMI
- Корпус: TO226AA
- Найти datasheet
|
| |
Просмотров: 3 074 201