| Ваш IP: 3.144.89.59 | Online(165) - гости: 160, боты: 5 | Загрузка сервера: 2.76 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора XB113
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора XB113

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): -
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 55°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: MED
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
XB102 Gepnp90mW16V12V12V--20 ... 44N/A
XB103 Gepnp90mW16V12V12V--45 ... 100N/A
XB112 Gepnp90mW16V12V12V--20 ... 44TO1
Просмотров: 2 509 279