Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора XB112Основные параметры биполярного транзистора XB112
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): -
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 55°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 44
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: MED
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| XB102 |
Ge | pnp | 90mW | 16V | 12V | 12V | - | - | 20 ... 44 | N/A | | XB103 |
Ge | pnp | 90mW | 16V | 12V | 12V | - | - | 45 ... 100 | N/A | | XB113 |
Ge | pnp | 90mW | 16V | 12V | 12V | - | - | 45 ... 100 | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 508 885