| Ваш IP: 3.141.37.53 | Online(161) - гости: 152, боты: 9 | Загрузка сервера: 2.33 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора XA111
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора XA111

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 14 pF
  • Производитель: MED
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SB443 Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz60TO1
2SB443A Gepnp100mW18V12V12V10mA1.2MHz110TO1
2SB443B Gepnp100mW18V12V12V10mA1.5MHz190TO1
2SB444 Gepnp100mW18V12V12V10mA3MHz150TO1
2SB444A Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz120TO1
2SB444B Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz200TO1
2SB444H Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz200TO1
Просмотров: 2 508 910