| Ваш IP: 18.117.158.10 | Online(57) - гости: 9, боты: 48 | Загрузка сервера: 1.79 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора TIPP115
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора TIPP115

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 078 806