Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора TIPP112Основные параметры биполярного транзистора TIPP112
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 800mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
- Производитель: TI
- Корпус: TO92
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 079 136