| Ваш IP: 18.222.107.29 | Online(155) - гости: 147, боты: 8 | Загрузка сервера: 3.47 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N512
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N512

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 60
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2156 Gepnp170W45V30V25V30A100KHz40 (min) TO36
2N2156A Gepnp170W45V30V25V30A100KHz40 (min) TO36
2N513 Gepnp150W40V30V30V25A150KHz20 ... 60TO3
2N514 Gepnp150W40V30V30V25A200KHz20 ... 60TO3
Просмотров: 2 508 976