Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора T0003Основные параметры биполярного транзистора T0003
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 85mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 12V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 80 pF
- Производитель: PHILIPS
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N207 |
Ge | pnp | 85mW | 12V | 12V | 12V | 20mA | 500KHz | 100 | TO5 | | 2N207A |
Ge | pnp | 85mW | 12V | 12V | 12V | 20mA | 400KHz | 100 | TO5 | | 2N207B |
Ge | pnp | 85mW | 10V | 12V | 12V | 20mA | 1MHz | 100 | TO5 | | T0004 |
Ge | pnp | 85mW | 12V | 12V | 12V | 20mA | 400KHz | 100 | TO5 | | T0005 |
Ge | pnp | 85mW | 10V | 12V | 12V | 20mA | 1MHz | 100 | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 074 279