Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SGSIF444Основные параметры биполярного транзистора SGSIF444
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 55W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1200V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): ##
- Производитель: STE
- Корпус: ISO218
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3412 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 8A | - | 100 (min) | TO3 | | 2SC3594 |
Si | npn | 50W | 1400V | - | - | 8A | - | 40 ... 60 | TO3 | | 2SD1104 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 6A | - | 100 | TO3 | | 2SD1389 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 6A | - | 15 (min) | TO3 | | 2SD1498 |
Si | npn | 50W | 1400V | - | - | 8A | - | 12 (min) | TO218 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 081 710