Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SGSD200Основные параметры биполярного транзистора SGSD200
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 300 (min)
- Производитель: STE
- Корпус: TOP3
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2512 |
Ge | pnp | 150mW | 70V | - | - | 30mA | 140MHz | 40 (min) | TO33-1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 082 067