| Ваш IP: 18.216.174.32 | Online(55) - гости: 10, боты: 45 | Загрузка сервера: 0.9 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SGSD110
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора SGSD110

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 130W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  • Производитель: STE
  • Корпус: TOP3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 082 255