| Ваш IP: 18.223.195.146 | Online(144) - гости: 132, боты: 12 | Загрузка сервера: 1.89 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора SGS112
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора SGS112

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K (min)
  • Производитель: STE
  • Корпус: TO126
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC4132 Sinpn50mW120V--2A80MHz56 ... 390SP0
2SC4132N Sinpn50mW120V--2A80MHz56 ... 120SP0
2SC4132P Sinpn50mW120V--2A80MHz82 ... 180SP0
2SC4132Q Sinpn50mW120V--2A80MHz120 ... 270SP0
2SC4132R Sinpn50mW120V--2A80MHz180 ... 390SP0
Просмотров: 2 515 267