| Ваш IP: 18.118.119.77 | Online(53) - гости: 4, боты: 49 | Загрузка сервера: 0.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора RT656M
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора RT656M

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  • Производитель: RAYTHEON
  • Корпус: TO46
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N2314 Sinpn350mW60V--500mA40MHz20 ... 60TO46
2N2315 Sinpn350mW60V--500mA50MHz40 ... 120TO46
2SC3983 Sinpn300mW60V--450mA180MHz30 ... 300X104
2SC3984 Sinpn300mW60V--450mA180MHz30 ... 120TO92
2SC4173 Sinpn300mW60V--500mA-70 ... 240TO236
2SD1205A Sinpn400mW60V--500mA-8000X73
2SD1423A Sinpn300mW50V--500mA-40 (min) SOT33
2SD1921 Sinpn400mW50V--500mA250MHz40 (min) SOT33
DTD113ES Sinpn300mW50V--500mA140MHz33 (min) TO92
DTD114ES Sinpn300mW50V--500mA140MHz56 (min) TO92
DTD123ES Sinpn300mW50V--500mA140MHz39 (min) TO92
DTD143ES Sinpn300mW50V--500mA140MHz47 (min) TO92
RT696M Sinpn350mW60V--500mA40MHz20 ... 60TO46
RT697M Sinpn350mW60V--500mA50MHz40 ... 120TO46
RT717M Sinpn350mW60V--500mA40MHz20 ... 60TO46
RT718M Sinpn350mW60V--500mA50MHz40 ... 120TO46
Просмотров: 3 082 725