| Ваш IP: 18.188.59.124 | Online(78) - гости: 1, боты: 77 | Загрузка сервера: 0.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора PTB20101
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора PTB20101

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 330W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 65V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 4V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 4V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 ... 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
  • Производитель: ERICSSON
  • Корпус: 20224
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 083 568