Дата: 4/16/2025 | Время: 4:28:49 AM | Ваш IP: 18.221.32.189 | Online(32) - гости: 11, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.59 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1132B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N1132B

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
  • Производитель: STE
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 577 133