Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора OC817Основные параметры биполярного транзистора OC817
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 110°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): ## pF
- Производитель: N/A
- Корпус: TO22
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1436 |
Ge | pnp | 50mW | 15V | - | - | 50mA | - | 20 (min) | TO9 | | 2N1787 |
Ge | pnp | 45mW | 15V | - | - | 50mA | 10MHz | 25 (min) | TO9 | | 2N588A |
Ge | pnp | 60mW | 15V | - | - | 50mA | 60MHz | 30 (min) | TO1 | | 2SA1230 |
Si | pnp | 50mW | 15V | - | - | 50mA | 8GHz | 120 (min) | TO131 | | 2SA1231 |
Si | pnp | 50mW | 15V | - | - | 50mA | 8GHz | 150 | TO71-2 | | T1250 |
Ge | pnp | 40mW | 15V | - | - | 50mA | 60MHz | 20 (min) | TO1 | | T2017 |
Ge | pnp | 45mW | 15V | - | - | 50mA | 10MHz | 25 (min) | TO9 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 084 801