Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора OC70Основные параметры биполярного транзистора OC70
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
- Производитель: PHILIPS
- Корпус: X01
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SB443 |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1MHz | 60 | TO1 | | 2SB443A |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1.2MHz | 110 | TO1 | | 2SB443B |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1.5MHz | 190 | TO1 | | 2SB444 |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 3MHz | 150 | TO1 | | 2SB444A |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1MHz | 120 | TO1 | | 2SB444B |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1MHz | 200 | TO1 | | 2SB444H |
Ge | pnp | 100mW | 18V | 12V | 12V | 10mA | 1MHz | 200 | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 084 758