| Ваш IP: 18.119.133.138 | Online(70) - гости: 2, боты: 68 | Загрузка сервера: 0.92 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора OC65N
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора OC65N

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  • Производитель: PHILIPS
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
OC66N Gepnp25mW10V10V10V10mA100KHz50 (min) TO1
Просмотров: 3 084 835