| Ваш IP: 3.137.218.176 | Online(68) - гости: 7, боты: 61 | Загрузка сервера: 1.23 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора NKT63
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора NKT63

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
  • Производитель: NWM
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N207 Gepnp85mW12V12V12V20mA500KHz100TO5
2N207A Gepnp85mW12V12V12V20mA400KHz100TO5
2N207B Gepnp85mW10V12V12V20mA1MHz100TO5
NKT162 Gepnp75mW9V9V9V25mA8MMHz100TO5
NKT163 Gepnp75mW9V9V9V25mA5MMHz80TO5
NKT163-25 Gepnp75mW9V9V9V25mA5MMHz80TO5
NKT164 Gepnp75mW9V9V9V25mA3MMHz50TO5
NKT164-25 Gepnp75mW9V9V9V25mA3MMHz50TO5
NKT62 Gepnp75mW10V10V10V25mA8MHz100TO5
NKT64 Gepnp75mW10V10V10V25mA5MHz80TO5
T0003 Gepnp85mW12V12V12V20mA500KHz100TO5
T0004 Gepnp85mW12V12V12V20mA400KHz100TO5
T0005 Gepnp85mW10V12V12V20mA1MHz100TO5
Просмотров: 3 086 080