| Ваш IP: 3.149.29.98 | Online(47) - гости: 4, боты: 43 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора NKT4
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора NKT4

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: NWM
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
NKT24 Gepnp90mW16V10V10V500mA12MHz75TO5
NKT25 Gepnp90mW16V10V10V500mA6MHz60TO5
NKT5 Gepnp90mW16V10V10V500mA6MHz60TO1
Просмотров: 3 085 980