| Ваш IP: 3.144.242.91 | Online(157) - гости: 140, боты: 16 | Загрузка сервера: 2.91 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора NKT164
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора NKT164

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 9V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MMHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 30 pF
  • Производитель: NWM
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
NKT162 Gepnp75mW9V9V9V25mA8MMHz100TO5
NKT163 Gepnp75mW9V9V9V25mA5MMHz80TO5
NKT163-25 Gepnp75mW9V9V9V25mA5MMHz80TO5
NKT164-25 Gepnp75mW9V9V9V25mA3MMHz50TO5
NKT62 Gepnp75mW10V10V10V25mA8MHz100TO5
NKT63 Gepnp75mW10V10V10V25mA2MHz80TO5
NKT64 Gepnp75mW10V10V10V25mA5MHz80TO5
Просмотров: 2 519 549