Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551LT1Основные параметры биполярного транзистора MMBT5551LT1
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 600mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 250
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
- Производитель: MOTOROLA
- Корпус: SOT323
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 091 040