| Ваш IP: 3.133.124.31 | Online(135) - гости: 117, боты: 17 | Загрузка сервера: 2.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N416
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N416

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 90
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N413 Gepnp200mW30V18V20V200mA1MHz30TO5
2SA206 Gepnp200mW30V20V20V200mA3MHz60TO5
Просмотров: 2 513 355