Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора MG100G1FL1Основные параметры биполярного транзистора MG100G1FL1
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 600V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 6V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 6V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100 (min)
- Производитель: TOSHIBA
- Корпус: X99
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 093 525