| Ваш IP: 18.188.219.131 | Online(78) - гости: 8, боты: 70 | Загрузка сервера: 1.63 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1100
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1100

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 65V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 65V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 95°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150KHZ
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 50
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: DEL
  • Корпус: TO36
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1412 Gepnp150W100V60V60V15A50KHz10 (min) TO23
2N1412A Gepnp150W100V60V60V15A50KHz10 (min) TO23
2N174 Gepnp150W80V55V60V15A100KHz25 ... 50TO36
2N2492 Gepnp170W80V65V60V15A125KHz25 ... 50TO36
Просмотров: 3 071 586